非晶半导体材料相关论文
通过异质结数值计算软件AFORS-HET 模拟n 型单晶硅衬底上的带有本征薄层的异质结结构(HIT)太阳电池,着重研究了在富氢非晶硅材料的p......
对以Se为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾.利用热蒸发的方法制备了单层的Se、Sb膜、含Sb的Se膜以及Sb/Se双层薄膜.利用X射线衍射技术分析了薄......
光反射或光透射光谱技术是我们通常用来了解材料光谱特性的方法。这类传统的光谱技术用于一些不透明的、弱吸收的(如吸收系数10cm)......
本文研究了硫系化合物玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2在低温下的电导机理,发现该材料在低温下具有一定的变程跳跃导电特性(Inσ~T~(-1/4......
本文研究了通入(CF_4+O_2)混合气体对 GD—a—SiC∶H 膜的等离子刻蚀.通过测量混合气体中 O_2的比例对刻蚀速率的影响,得到 O_2气......
某些非晶硅薄膜在弧光诱发的晶化过程中有时会在其辐射状晶区形成多种形状的螺线.这些螺线是生长中的晶体与爆发结晶过程中的热漏......
我们应用反应溅射法制备了掺硼的a-Si:H薄膜和a-SiB:H合金薄膜。掺硼浓度(Y_g=[B_2H_6]/([Ar]十[H_2]))由10~(-6)到10~(-2)变化。......
报道了通过实验研究淀积条件对非晶硒化镉(α-CdSe)薄膜的微区结构及光吸收性能的影响。在此基础上寻求该样品微区结构对光吸收性能产生影......