非晶硅薄膜二极管相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

非晶硅薄膜二极管相关论文

大电流高开关比非晶硅薄膜二极管研究

报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50 A/cm-......

期刊

非晶硅薄膜二极管开关比薄膜沉积技术三维集成电路只读存储器本征层 a-Si thin film diode big current high on

看过本文同时还关注