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非本征跨导相关论文
极化库仑场散射对AlGaN/GaN电子器件特性影响研究
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)是第三代半导体中非常具有代表性的电子器件。GaN材料宽的禁带宽度和稳定的化学性质,使得AlGaN......
学位
极化库仑场散射
AlGaN/GaN电子器件
栅源接触区电阻
非本征跨导
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