非电离能量沉积相关论文
基于蒙卡软件Geant4，选择和添加原子碰撞物理过程，设置模型中的参数，模拟输运粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算1Mev质子不同厚......
针对空间质子诱发C C D性能退化问题, 开展了C C D质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究.采用三维蒙特卡罗软件G e a n t 4模拟计算......
中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Ge......
