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面接触特性相关论文
    用于亚0.1μmCMOS器件技术中的镍硅化物研究
    随着CMOS集成电路制造技术持续向亚0.1μm工艺推进,与之相应的自对准硅化物(SALICIDE)材料和工艺也在不断发展创新。由于窄线条效应......
    学位
    NiSi 镍硅化物 固相反应 单步快速热处理 两步快速热处理 杂质再分布 Kirkendall效应 反应动力学 反应激活能 肖特基势垒分布不均匀性 面接触特性

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