靶功率相关论文
通过对溅射过程中辉光放电视现象及薄膜沉积速率的研究,发现随着氮浓度的增大,靶面上形成一层不稳定的AIN层,由于AIN的溅射速率远......
红外摄像机已用于检验一系列ＪＥＴ偏滤器放电的功率平衡计算。放电的密度范围是〈ｎｅ〉＝（Ｉ－７）×１０＾１９ｍ＾－３，其最高的密度是由中性束加热和强喷气得到的。......
目前，对磁控溅射组装Cu-W均质复合膜的工艺及成膜机理研究不够深入。通过磁控溅射组装均质Cu—W薄膜，考察了溅射工艺参数对膜结构的......
利用直流磁控溅射技术制备了三元硼碳氮（BCN）薄膜，通过改变靶功率（70W和210W）和基体偏压（-50V～-400V）得到不同成分和组织结构的薄膜。采用x......
采用射频磁控溅射技术制备MoS2-Sb2O3复合薄膜，研究靶功率对薄膜性能和结构的影响。利用XRD、XRF分析薄膜的成分和结构，用CSM薄膜综......
为改善304不锈钢的性能,扩展其应用范围,采用磁控溅射技术在不同溅射靶功率下激发高纯石墨靶在p（100）单晶硅和304不锈钢表面沉积类金......
