颗粒硅带相关论文
以RTCVD方法在低成本衬底—颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm上得到的最高转换效率为7.4﹪,开路电压488mV,短路......
以多晶硅片为衬底,在快热化学气相沉积(RTCVD)设备上,通过外延生长的方式制得多晶硅薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等......
通过在颗粒硅带(SSP--Silicon Sheet from Powder)衬底上进行外延多晶硅薄膜、发射区扩散、掩膜法制作上下电极等工艺,制备了以颗......
本文对颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的发展前景进行了较为详尽的描述.通过从材料、工艺、性能和经济等多方面分析,指出这种......
介绍了一种晶体硅薄膜电池衬底用硅带的制备工艺——SSP(Silicon Sheet from Powder)颗粒硅带制备技术,并对工艺进行了优化,用工业......
在SSP硅带衬底上制备开口SiO隔离层,在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层;然后以ZMR将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶,制备了SSP隔......
本文采用PC1D太阳电池软件模拟的方法，对以颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的光电转换效率作了模拟分析，给出1cm2 面积的电池的......
本文报道了低成本颗粒硅带衬底(SSP)的性质和采用化学汽相(RTCVD)在颗粒硅带衬底上制备的多晶硅薄膜的工艺条件及薄膜的特性;同时......
本文对颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的研究进展进行了评述。通过从材料、工艺、性能和经济等多方面分析，指出这种高性能价格......
本文分析了颗粒硅带(SSP:Silicon Sheet from Powder)的杂质、缺陷和晶粒尺寸以及电极设计对多晶硅薄膜太阳电池效率的影响.报道了......
本文分析了以颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池研究的可行性和必要性,并以颗粒硅带为衬底,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法生......
本文着重涉及颗粒硅带(SSP)作为制备多晶硅太阳电池材料的研究工作.我们用SSP作为底材用快速热化学汽相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅......
以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层.为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将......
效率与成本问题一直是制约太阳电池大规模应用的瓶颈。为有效降低太阳电池成本，当前的研究工作主要集中在两个方面。一方面是优化器......
在低成本、两种纯度的P++颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电池.无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备......
晶体硅薄膜太阳电池(CSiTF-Crystalline Silicon Thin Film Solar Cells)由于具有降低制造成本的空间,成为目前研究工作的一个热点......
采用颗粒硅带(SSP)作为衬底,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达6.36%的薄膜太阳电池.对衬底特......
以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带(SSP),对颗粒硅带表面形态进行分析.以SSP为衬底,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法生长多晶硅薄膜......
以RTCVD方法在低成本衬底--颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm2上得到的最高转换效率为7.4%,开路电压488mV......
衬底的表面质量对外延薄膜有着显著的影响.为获得高质量的衬底,我们改进了SSP的制备方式.将制备的SSP硅带进行背面熔化后,硅带背面......
采用廉价国产硅粉拉制的低纯度颗粒硅带(SSP)作为衬底,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达4.5%......
在SSP硅带衬底上制备开口SiO2隔离层,在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层;然后以ZMR将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶,制备了SSP隔......
以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层.为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将......
为了澄清限制所制备的颗粒硅带上的晶体硅薄膜太阳电池效率的主要因素,对制备在颗粒硅带、经区熔(ZMR)后的颗粒硅带和单晶硅衬底上......
从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以......
