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调制掺杂AlxGa1—xN/GaN异质结构的微应变
用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构,利用高分辨X射线衍射(HRXRD......
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调制掺杂
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AlxGa1-xN/GaN heterost
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