高压IGBT相关论文
为提升高压IGBT的抗短路能力,进一步改善短路与通态压降的矛盾关系,研究了IGBT背面工艺对抗短路能力的影响.通过TCAD仿真,在IGBT处......
重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法.使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干......
介绍了西门子、AB、ABB、三菱等公司中压变频器的概况及选型原则。
Introduced the Siemens and AB, ABB, Mitsubishi and other ......
di_C/dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同,由于短路开通时集电极-发射极电压的急剧减小,IGBT......
本文提出了湿度失效机理及寿命模型,研究IGBT模块凝露测试方法,阐述最新高压IGBT模块技术。同时研究湿度和凝露对高压IGBT可靠性的......
本文给出了高压IGBT电压源逆变器的不同短路类型。综述了当前已知的几种短路类型（类型1，类型2，零电流类型2和类型3），并研究了IGBT在断开......
di／dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同，由于短路开通时集电极一发射极电压的急剧减小，IGBT短路......
高压功率半导体器件IGBT(绝缘栅双极晶体管)的表面钝化工艺是其芯片加工工艺的重要环节,其钝化层的质量直接影响IGBT器件的性能参......
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件具有耐压高、开关速度快、易驱动等优点,在电力电子变换器中应......
为简化电力电子牵引变压器(PETT)的结构,设计了一款高压IGBT模块,其器件电压等级达6.5 kV,并应用软开关技术,使高压IGBT的开关频率......
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）作为发展最为迅速的功率半导体器件,凭借栅极易驱动、电流密度大等特点,已广泛应用于轨道......
为减少大功率电机工作时的线路损耗,减小导线线径,中高压供电系统被广泛使用,开发中高压开关磁阻电机调速系统非常迫切,因此设计了......
NPC三电平PWM变流器的应用越来越广泛,成为目前研究的热点。因此,本文以三电平拓扑为基础,以中压三电平PWM风电变流器为实验依据,......
为满足轨道交通领域牵引用3300VIGBT芯片应具有优良的栅极控制特性、较低的通态压降和较宽的安全工作区的要求，对3300VIGBT芯片工艺......
