高开关比相关论文
当前半导体技术的微缩与高密度集成已经逼近极限,于是人们对新一代存储器寄予厚望。这其中忆阻器,凭借存储容量大,处理效率高以及......
场效应迁移率和开关比是评估有机场效应晶体管最重要的两个参数。我们在OTS修饰的SiO2绝缘层上制备了Ph5T2有机单晶器件，在小的栅压......
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基于非中心对称结构的光电功能晶体材料如非线性光学和铁电晶体材料在非线性、介电、热释电、压电、电光和铁电等方面表现出优......
如何利用石墨烯实现电学器件的高开关比,同时还不降低石墨烯本身的电学性能,是当前研究的热点之一,其中以石墨烯为电极的隧穿场效......
本文报道了采用倒置交错结构（Ｔａ／（Ｔａ２Ｏ５）ＳｉＮｘ／Ｉｎ＾＋ａ－Ｓｉ／Ａｌ）的ＴＦＴ矩阵研究结果，其关态电流（Ｉｏｆｆ（－５Ｖ）在５－７×１０＾－１４Ａ（对Ｗ／Ｌ＝１０），开态电流Ｉｏｎ（２０Ｖ）大于１０μＡ，Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆ在１０＾８量级，场效应迁移率可达０．７９ｃｍ＾２／Ｖ．Ｓ．......
