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高温GaN相关论文
三维生长工艺对GaN外延层质量和阱厚对InGaN/GaN多量子阱光学性能的影响
Ga N基材料因其具有禁带宽度大、化学和热稳定性好、电子饱和漂移速度大和击穿电场强度大等特点广泛运用于功率器件、LD器件和LED......
学位
MOCVD
高温GaN
InGaN/GaN多量子阱
SiLENSe
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