高迁移率晶体管相关论文
本文通过生长AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构,研究了升温过程对该结构的表面形貌和2DEG迁移性质的影响。实验表明,由于AlGaN的反向极化和......
纤锌矿AlGaN/GaN 单异质结构是GaN 基高迁移率晶体管(HEMT)的基本结构,此类体系中的强自发极化和压电极化效应在界面处诱生的高浓......
半导体超薄微结构材料是发展新一代半导体科学技术的材料基础。其主要生长技术是MBE、MOCVD和新发展起来的CBE技术。该文首先简述......
该文介绍了一种纳米电子器件:谐振隧穿二极管(RTD),它是一种新型GaAs衬底二端口器件,具有高速和双稳态两大特性.该文详细介绍了谐......
采用自主研发的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制了总栅宽为2mmGaN HEMT,利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性,得出该器件源漏阻抗实......
采用自主研发的SiC衬底GaNHEMT外延材料，研制了总栅宽为2mmGaNHEMT，利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性，得出该器件源漏阻抗实部分别......
研制成功具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT器件，对源场板、栅场板器件的性能进行了分析．场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电，提高了肖......
石墨烯（Graphene）单原子层的厚度,对光的本征吸收很低,这使得仅仅依靠石墨烯本身,很难获得高性能的光电器件。砷化镓（GaAs）是Ⅲ-Ⅴ族半......
设计和制作一种小型超宽带低噪声晶体管放大器 ,采用全微带匹配网络和负反馈技术 ,利用新型晶体管器件 HEMT,经自编的程序 MMatch......
氮化镓(GaN)作为一种新型半导体材料,具有禁带宽度大(3.39eV)、击穿电场强度高(～3.0MV/cm)和电子迁移率高(800～1700cm2/Vs)等特点,在......
