高阻薄层相关论文
高压As-MOS管用硅外延材料制备工艺的难点在于重掺砷(As)衬底外延的自掺杂和固态外扩散严重,外延电阻率和过渡区不易控制。在多片......
利用长偏移距瞬变电磁法(Lowtem)水平电场分量对高阻薄层电阻率变化灵敏这一地球物理特征,开展时移长偏移距瞬变电磁法剩余油监测......
