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超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析
提出了一种新的器件结构——非对称Halo LDD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以......
期刊
超深亚微米
非对称
HaloLDD
低功耗
高集成度电路
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