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n-GaN肖特基结
在MBE和MOCVD两种方法制备的n-GaN材料上,通过热蒸发、离子束溅射和光快速退火等工艺,制作了Au-GaN肖特基结和Ti/A1/Ti/Au-GaN欧姆接触,并在室温测定了肖特基结的I-V特性。分......
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