为了研制光纤通讯用光电三极管，需要在ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ材料中形成Ｐ型基区。选用８０ＫｅＶ４．５×１０〈’１２〉／ｃｍ〈’２〉Ｂｅ〈’＋〉１６０ｋｅＶ４×１０〈’１２〉／ｃｍ〈’２〉Ｂｅ〈’＋〉离子注入ｎ型ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ材料中进行补偿......