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0.13um嵌入式闪存相关论文
多晶硅表面前处理对嵌入式闪存器件寄生电阻的减小
分析了一个发生在0+13um嵌入式闪存芯片中振荡器电路模块失效的案例。通过研究发现此失效与作为门极的多晶硅与后段金属互联线之间......
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0.13um嵌入式闪存
钨导线
接触电阻
多晶硅表面刻蚀前处理
0.13 um embedded flash Wcontact parasitic resist
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