GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于......

NEC Electronics America Inc．近期发布了含有嵌入式闪存芯片的29款微控制器，目标应用于汽车和安全控制等。新产品包括采用0．15μm制......

中国财政部、税务总局近日公布最新的企业奖励优惠政策“财税2008一号文”，政策中规定中国内地晶圆厂生产0．25μm工艺技术以下，可抵减......

本文主要述评了光学光刻技术在０．３５μｍ工艺向０．２５μｍ工艺阶段转移的技术革命中所面临的挑战，以及远紫外光刻所处的地位，现状及今后的发展趋势。......