3c-SiC相关论文
当今的许多行业都需要在高温环境下工作的电子器件,如航空航天、火力发电、石油勘探和核能等,而目前的Si基器件的极限应用温度仅达......
用低压化学淀积(LPCVD)法在有氧化埋层的柔性衬底(SOI)上外延生长了3C-SiC.采用X-射线衍射)XRD)和扫描电镜(SEM)研究了3C-SiC的结......
Multi-wafer heteroepitaxial growth of 3C-SiC layers on Si(lll) substrates were performed by employing a novel home-made ......
碳化硅(SiC)由于高的热传导、 高温稳定性等优点，被认为是未来聚变反应堆结构材料的主要候选材料之一。但在聚变反应堆中，由于中子嬗......
用La B6灯丝200 kV高分辨透射电镜拍摄了有小角晶界的3C-Si C/(001)Si薄膜的[1ˉ10]高分辨电子显微像.用像解卷技术把本不直接反映......
利用X射线双晶多功能四圆衍射仪 ,对在Si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (APCVD)生长的 3C SiC进行了微孪晶的分析 .Φ扫描......
单晶Si和蓝宝石 (0 0 0 1)是两种重要的 3C SiC异质外延衬底材料 ,然而 ,由于Si及蓝宝石和 3C SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数......
本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X......
采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和......
3C-SiC作为第三代半导体材料具备禁带宽、临界击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率高等众多优异的性能,但由于其较大的晶格失......
3C-SiC优异的材料特性使其在高温、高频、大功率以及抗辐射电子器件应用方面具有广阔的应用前景。如果将Si/3C-SiC异质结构中的Si......
采用石墨烯和Si粉为原材料,利用气固法在无催化剂的条件下成功制备出耐高温、抗氧化、抗辐射的宽带隙半导体材料——Si C纳米颗粒,......
...
,Electronic structure and magnetic properties of (Cu,N)-codoped 3C-SiC studied by first-principles c
...
立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上.本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微......
采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以较低生长温度 ,在 Si( 1 1 1 )和 Si( 1 0 0 )衬底上同时外延生长 3C- Si C获得成功 .生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Micro-Raman Spectroscopy for Stress Evaluation of 3C-SiC Epitaxially Grown on Si Substrate by Hot Wa
A series of cubic SiC single crystals were heteroepitaxially grown by the hot-wall chemical vapor deposition (CVD) using......
基于GGA近似使用第一性原理方法对3C-SiC的ZB至NaCl相的高压相变过程进行了研究,得出中间过渡相的最高对称性为Imm2(而此前有研究......
SiC纤维增韧SiC基复合材料(SiCf/SiC)由于其优越的性能而成为新一代核能系统重要候选材料之一.材料中的缺陷会使材料的力学性能发......
The favourable physical properties of SiC make it a potential material for use as containment layer in new generation nu......
利用第一性原理赝势方法计算了Si0.875X0.125C(X=N、P、As)的电子能带结构、态密度、电荷布居数和静介电常数.计算结果表明:随着N......
Micro-Raman Spectroscopy for Stress Evaluation of 3C-SiC Epitaxially Grown on Si Substrate by Hot Wa
A series of cubic SiC single crystals were heteroepitaxially grown by the hot-wall chemical vapor deposition (CVD) using......
在硅衬底上利用具有质量选择功能的低能离子束沉积技术沉积碳离子制备出除碳、硅之外无其他杂质元素的纯净的立方SiC薄膜.利用X射......
...
采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和......
介绍了新近研制出的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)......
运用分子动力学方法,采用LAMMPS程序模拟了3C-SiC中的级联碰撞过程。研究了不同初始运动方向、不同能量下的PKA级联碰撞产生点缺陷......
...
采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO2作为掩蔽层，进行3C—SiC的反向外延的选择性生长．TEM，AFM和XRD结果显示3C-SiC沿（111）面成功实......
运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC 晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究.发现3C-SiC 平衡......
运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC 晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究.发现3C-SiC 平衡......
单晶Si和蓝宝石(0001)是两种重要的3C-SiC异质外延衬底材料,然而,由于Si及蓝宝石和3C-SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度,......
单晶Si和蓝宝石(0001)是两种重要的3C-SiC异质外延衬底材料,然而,由于Si及蓝宝石和3C-SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度,......
立方碳化硅（3C-SiC）薄膜通过化学气相沉积（CVD）制备在Si（100）衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪（SE）和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和......
用LPCVD在Si(111)上异质外延了n型3C-SiC,并在所外延的3C-SiC上蒸发Au/Ti,通过不同温度下的RTA(快速热退火)形成欧姆接触.用两种不......
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨......
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨......
利用第一性原理赝势方法计算了不同浓度Bi元素掺杂SiC（掺杂浓度分别为1/8、1/16、1/32）的电子能带结构、态密度、布居分析和差分电荷......
利用第一性原理赝势方法计算了不同浓度Bi元素掺杂SiC（掺杂浓度分别为1/8、1/16、1/32）的电子能带结构、态密度、布居分析和差分电荷......
3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们......
3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们......
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长3C-SiC的方法.采用LPCVD生长系统,以SiH4和C2H4为气源,在超低压(30Pa)、低温(900℃)的条件下,......
介绍了新近研制出了的一种电阻加热式CVD／LPCVD SiC专用制备系统，并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)......
