4-氢碳化硅相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

4-氢碳化硅相关论文

基于宽禁带半导体4H-SiC的功率IGBT模型及特性研究

本文系统研究了4氢碳化硅（4H-SiC）材料的物理性质，分析计算了4H-SiC宽禁带半导体材料的禁带宽度Eg和载流子迁移率μ等材料参数，并依据......

学位

4-氢碳化硅绝缘栅双极晶体管宽禁带半导体器件模型电离率

4-氢碳化硅及硅IGBT静态与开关特性的对比研究

为比较基于4-氢碳化硅宽禁带材料与传统硅材料功率IGBT性能上的差异,用半导体物理基础理论计算器件外延层迁移率与掺杂浓度、输出......

会议

4-氢碳化硅硅 IGBT 宽禁带半导体迁移率输出Ⅰ-Ⅴ曲线开关特性

看过本文同时还关注