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4H碳化硅同质外延相关论文
Al掺杂4H-SiC同质外延的缓冲层
利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线双晶衍射谱(XRD)和光致发光谱(PL)对在4H—SiC单晶衬底上采用CVD同质外延的4H—SiC单晶薄膜的特性进行研......
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4H碳化硅同质外延
缓冲层
扫描电子显微镜
X射线双晶衍射谱
光致发光谱
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