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4H-SiC厚膜外延相关论文
化学势调控生长单体的150mm 4H-SiC厚膜外延生长
4H-SiC具有优异的物理与化学性能,是制备新一代电力电子器件的理想材料。近年来,基于4H-SiC半导体的高压高功率器件得到了广泛的研......
学位
4H-SiC厚膜外延
吸附单体
台阶流生长
基面位错
化学气相沉积
第一性原理计算
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