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6英寸Si衬底相关论文

六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频......

期刊

6英寸Si衬底 AlGaN/GaN功率电子材料 CMOS工艺 GaNMIS-HEMT器件常关型 6-inch Si substrateAlGaN/GaN HE

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