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γ射线在BJT型器件中引起的A中心和E中心
研究了3种不同掺杂浓度的BJT型(n-p-n,p-n-p)硅晶体器件在γ射线辐照下产生的A中心和E中心。A中心的产额随吸收剂量的增加而增加,......
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Γ辐射
硅
晶体器件
n-p-n stractare
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A-centers
E-centers
Cr
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