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AISb多晶薄膜相关论文
用几何靶溅射方法制备AISb多晶薄膜
采用从踢几何靶用直流磁控溅射方法沉积了AlSb薄膜(衬底温度为30℃和200℃),然后在№气氛下,300~540℃,对沉积的薄膜进行退火。用X射线衍......
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AISb多晶薄膜
磁控溅射
太阳电池
AlSb polycrystalline thin film
magnetron sputtering
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