Al替位掺杂相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

Al替位掺杂相关论文

电荷俘获存储器数据保持特性第一性原理研究

本文研究HfO2掺入Al替位Hf杂质和氧空位共同掺杂对电荷俘获型存储器存储特性的影响.HfO2作为高介电常数材料由于具有缩小器件尺寸......

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第一性原理 Al替位掺杂氧空位 HFO2 the first-principles substitutional impurity Al oxygen v

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