AlGaN紫外探测器相关硕士博士期刊学术论文

AlGaN紫外探测器相关论文

AlxGa1-xN是一种直接禁带的三元合金半导体材料，随着Al组分x的变化，其禁带宽度在3.4～6.2eV之间连续可调。AlGaN紫外器件具有高击穿电......

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