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采用原子层沉积设备在p型单晶制绒硅上制备了不同厚度的AlO_x薄膜。通过研究AlO_x薄膜厚度对样品的反射率、少数载流子寿命以及电......
N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点。以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆......
通过线性微波化学气相沉积（LMW-PECVD）技术在P型单晶样品上高生长速度下制备了高质量的AlOx薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭......
研究了在高阻硅衬底上Al／AlOx／Al隧道结的制备技术，采用电子束蒸发制备Al／AlOx／Al三层材料，湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线，PECV......
