Au薄膜制备相关论文
碲锌镉(CdZnTe)晶体是宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物,具有优异的光电特性,是制备室温X射线及γ 射线探测器的一种理想半导体材料.CdZnTe......
为了研究不同制备工艺对电极欧姆接触特性的影响,分别采用真空蒸发法、溅射法及化学沉积法在CdZnTe晶片表面制备了Au薄膜电极,通过......
为了研究不同制备工艺对电极欧姆接触特性的影响,分别采用真空蒸发法、溅射法及化学沉积法在CdZnTe晶片表面制备了Au薄膜电极,通过......