离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。然而，离子注入对金刚石的晶格结构有破坏作用，造成金刚石薄膜体积的膨胀。本......

Ｂ注入ｎ（Ｓｉ）－ＧａＡｓ层，经高温退火在ＧａＡｓ晶格恢复过程中，Ｂ将占据ＧａＡｓ晶格中一定位置成为替位Ｂ，当Ｂ取代Ａｓ位，则形成双受主ＢＡｓ，，当Ｂ取代Ｇａ位，并形成络合物ＢＧａＹＡｓ，将促使Ｓｉ占Ａｓ位，形成受主ＳｉＡｓ和......

本论文简要叙述了金刚石薄膜的研制进展和应用，介绍了用化学气相沉积法（Hot Filament Chemical Vapor Deposition）在不同的衬底上的金......