本文用掠角背散射沟道分析技术研究了能量为147keV,剂量为2×10~(15)/cm~2,束流为20—140μA(束流强度0.41—2.86μA/cm~2)的B......

剂量为1×10~(15)cm~(-2)的10keV B~+和45keV BF_2~+分别注入(100)n型预非晶硅中,随后在温度为1000和1100℃,时间为2,5和10s的......

注入系统中剩余气体分子与B_2~+离子的碰撞,造成了不同能量的BF~+,F~+、B~+离子束对BF_2~+注入束的沾污。注入样品的SIMS分析结果......