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BJT直流增益相关论文
4H-SiC BJT直流增益与RF特性模拟研究
碳化硅禁带宽、击穿电场大、热导率高、电子饱和漂移速度快,在高温、高频、高辐射环境下有重要的应用前景,4H-SiC双极晶体管越来越受......
学位
4H-SiC材料
碳化硅材料
RF特性模拟
BJT直流模拟
双极晶体管
BJT直流增益
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