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C3N纳米带相关论文
C3N纳米带场效应管设计及性能分析
近几十年来,芯片的生产工艺已经从60纳米发展到了7纳米,纳米级电子器件的发展前景越发的明朗。电子信息系统的推陈出新,半导体技术......
学位
场效应管
隧穿场效应管
开关性能
静态功耗
C3N纳米带
纳米级器件设计
纳米级器件多尺度建模仿真方法
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