CDZNTE晶片相关论文
本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺.通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷......
常用于X射线和γ射线探测器中的CdZnTe（CZT）晶片经机械抛光后表面存在损伤层和许多肉眼看不到的划痕，采用溴甲醇（Br2-CH3OH）腐蚀可有效......
用显微光致发光（u-PL）平面扫描的方法对CdZnTe(CZT）晶片进行了研究。分别在19um×16um的缺陷区域进行微米尺度和7.9mm×6.0mm......
CdZnTe wafers were machined by lapping and mechanical polishing processes,and their surface and subsurface damages were ......
本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺。通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷......
测试了多个Cd0.9Zn0.1Te晶片的性能,包括红外透过率、成分分布、位错密度、Te沉淀/夹杂密度以及电阻率.研究表明,红外透过率与性能......
采用化学镀金法在高阻P—CZT（CdZnTe）晶片表面制备Au电极。并用改进的圆环传输线模型（Ring-CTLM）测量了CZT电极的接触电阻，探讨了大气气......
为实现高电阻CdZnTe半导体(简称CZT)接触电极与外引线的超声波焊接,采用正交实验法探讨CZT接触电极与引线超声波焊接质量的影响因......
采用扫描电镜及EDS测试研究了高电阻CdZnTe金电极与外引线的超声焊接工艺，探讨了CdZnTe表面处理工艺、接触电极厚度及焊接参数对引......
