CF4等离子体相关论文
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差.通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的......
采用低温CF4等离子体技术,通过化学气相沉积,将一般疏水聚偏氟乙烯(PVDF)膜表面成功改性为接触角为169.5°±4.9°的超疏水......
采用射频等离子体化学气相沉积设备,以CF4为反应气体,进行了无水胶印版材斥墨层制备的实验。研究了不同等离子体参数(功率、气压和时......
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