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硅功率器件P型扩散区耗尽层及耐压研究
摘要: 对N型硅单晶深扩散所形成的P型扩散区,进行关于P型耗尽层界面的研究,导出P型耗尽层方块电阻及耐压的结论,提出P型耗尽层宽度......
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P型扩散区耗尽层
方块电阻
CT解剖测量法
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