GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4 V时,测得响应电流8.9×10-9A,电流响应率达到2.54 ......

通过量子阱的子带跃迁光吸收改变自身带电状态来调控另一个量子阱中的二维电子横向输运特性,从而产生可探测的电导变化。这种双量......