CZ硅单晶相关论文
本文运用硅单晶间隙氧含量减少法,测定硅中氧沉积特性.通过A、B两种热处理工艺,找出氧含量对沉淀形成的影响及碳的作用,并探讨热处......
随着大规模集成电路的迅速发展,对硅单晶的品质及尺寸提出了更高的要求。大批量制备高品质IC级硅单晶通常采用直拉法(Czochralski)......
CZ硅晶片中的旋涡缺陷在器件制造的热循环过程中 ,会转化成体内杆状层错 ,且易集结在发射结对应下方的基区和集电结附近 ,从而导致......
大规模集成电路和太阳能光伏产业的发展对硅单晶的品质和尺寸提出了更高要求,直拉法是制备高品质硅单晶的有效方法。传统的控制系......
研究了CZ法单晶硅的能级改进对电池片效率的影响。在试验结论的基础上得出:对于单晶硅衬底的电池片,掺锗对单晶硅电池片的效率产生......
