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Cd2Sb2O6.8相关论文
气敏半导体材料Cd2Sb2O6.8的制备及其性能研究
采用化学共沉淀法,在较低温度(750℃)下制备了具有缺陷烧绿石结构的复合氧化物Cd2Sb2O6.8的纯相超微粉;研究了制备条件对物相、结构和气敏性能的影响......
期刊
化学共沉淀法
缺陷烧绿石结构
Cd2Sb2O6.8
反应过程机理
乙炔气敏性能
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