CdS是一种直接带隙半导体，室温下其禁带宽度约为2．4eV，是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。分别以CdCl2和（NH2）2Cs作为镉源......

利用化学浴沉积法,以N（CH2CH2OH）3为络合剂,Cd（CH3COO）2·2H2O和（NH2）2CS为前驱体溶液制备了CdS纳米晶薄膜,利用FESEM、XRD考察了前......