Co掺杂ZnO薄膜相关论文
电子信息系统正在向体积更小、速度更快和功耗更低的方向发展,促使电子材料的薄膜化和多功能复合化以及电子器件的片式化和多功能......
采用湿化学法在Si衬底上生长了纳米棒结构的Co掺杂ZnO薄膜,并研究了掺杂浓度对生成样品结构和性能的影响。研究表明这种湿化学法成......
采用电化学和湿化学法结合的两步化学法制备了Co掺杂的ZnO薄膜。X射线衍射（xRD）结果表明Co掺杂没有改变ZnO薄膜的六角纤锌矿结构。扫......
ZnO是一种具有纤锌矿晶体结构的Ⅱ-Ⅵ族化合物宽禁带直接带隙半导体,室温下禁带宽度为3.37 eV。与GaN(25meV)相比,ZnO激子束缚能高......
