Czochralski法成功生长了一系列不同Er/Yb的Lu0.5Gd0.5VO4混晶，首先标定了系列晶体的组分，分析了晶体的结构，测量了晶体的密度.另......

　　现在激光已经应用信息、通讯、医药和制造等方方面面。[1] 1960年,Maiman利用Cr3+：Al2O3制作了第一台激光器[2],到1976年,Morri......

从理论上来讲，所有的光折变材料都可以写入折射率相位光栅，都可用来制作三维体全息存储器。但从商业应用的角度考虑，目前铌酸锂(LiNb0......

钨酸铅晶体密度高,辐射长度短,衰减快,抗辐照能力强,价格便宜,是用作西欧核子研究中心即将建造的大型强子对撞机中精密电磁量能器......

本文简要地介绍了YVO和Nd:YVO晶体的在光纤通讯系统和在激光器中的应用,围绕Czochralski法生长YVO4晶体和Nd:YVO4晶体进行了系统的......

用Czochralski方法生长出铁电钨青铜型单晶(Sr1-xBax)2NaNb5O15(简称SBNN),晶体沿c轴方向生长.正交-四方相的准同型相界(简称为MPB......

采用电子束悬浮区熔(EBFZM)技术制备了Si-TaSi2共晶自生复合场发射材料,并系统地对比了Czochralski(CZ)和EBFZM两种不同晶体生长技......

采用低雷诺数κ-ε模型，计算分析了Cz法大型砷化镓单晶生长中熔体内的热量、动量输运特性。结果表明：适当的坩埚旋转能有效抑制晶体......

本文对激光晶体进行了探讨，介绍了激光晶体和掺稀土的无机激光晶体、钨酸盐体系激光晶体。研究了Nd：NBW（分子式：Nd：NaBi（WO4）2）以及二元钨......

采用直拉单晶制造(Czochralski,CZ)法生长了掺钕钇铝石榴石(Nd3+:Y3Al5O12,简称:Nd:YAG)激光晶体。工艺参数:转速为13～18rad/min;拉......

液相合成了Yb：YGdVO4多晶料，采用中频感应加热Czochralski法生长了Yb0．03Y0．19Gd0．78VO4晶体。用浮力法测定其密度为5．29g／cm^3，X射线粉末......

本文使用铱坩埚感应加热Czoehralski法成功地生长出了无色透明且尺寸达φ50mm×60mm的Lu2SiO5：Ce晶体。XRD结构分析表明，该晶体......

采用Czochralski技术分别生长了双掺Zr4+(1mol%,2mol%,3mol%)和Yb3+(0mol%,1mol%,1mol%)的Zr∶Yb∶Li Nb O3晶体。测试了晶体的XRD......

考虑浮力、热毛细力、离心力和科里奥利力的情况下,对CZ法砷化镓单晶生长中熔体流动和传热建立了三维时相关紊流数学模型．通过数值......

在晶体生长的过程中,熔体流动稳定性直接影响制备晶体材料的质量,因此,对熔体对流的控制是提高晶体质量的关键。由于半导体熔体具......