DTMOS相关论文
该论文对SOI部分耗尽MOSFET(SOI PD-MOSFET)和SiGe沟道p-MOSFET(SiGe-MOSFET)的性能进行了研究.SOI部分耗尽MOSFET相对于体硅MOSFE......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
随着器件尺寸的不断缩小,传统MOS器件遇到工作电压和阈值电压难以等比例缩小的难题,以至于降低电路性能,而工作在低压低功耗领域的......
提出一种新颖的运算放大器电路结构,该电路基于同沟道MOSFET轨对轨输入设计技术,采用弱反型动态阈值MOS(DTMOS)晶体管作为输入差动......