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ESD可靠性相关论文

提高彩电CMOS模拟开关电路抗ESD可靠性

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期刊

彩电 CMOS 模拟开关电路 ESD可靠性

自保护型SOI-LIGBT器件ESD可靠性研究

绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件(SOI-LIGBT)具有电流密度大、击穿电压高、开关速度快及集成度高等诸多优势,已经成为推动功率集成......

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绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件(SOI-LIGBT) 自保护 ESD可靠性退化

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