金属表面纳米化可以明显改善材料表面力学性能,并能对原子的热扩散起到促进作用,本文尝试采用材料表面纳米化技术改善316L不锈钢金......

稀土元素类选择性辖射器，由于其自身的选择性发射特性而备受关注，然而实验证明块状稀土氧化物的热膨胀系数大，抗热冲击能力差，开发稀土......

信息化革命推动了集成电路技术的快速发展,集成电路技术在当今的信息化时代已经扮演了重要的角色。此外,科学家和产业界人士对电子......

微电子工业迅速发展，半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO2作为MOSFET的栅介质材料已不能满足技术发展的要求。因此，需要寻......

采用反应磁控溅射法制备Er2O3薄膜，并利用X射线衍射仪（XRD），场发射扫描电子显微镜（sEM）对含He的Er2O3薄膜的结晶情况、截面和表面形貌进......

采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si（100）衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X......

采用射频磁控反应溅射技术，在不同的Ar：O2条件下制备Er2O3薄膜，然后把样品分别在600、700和800℃退火60min，研究分析了Ar：O2比例和退火......

在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er_2O_3/Al_2O_3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了A......