FE-N薄膜相关论文
随着电子信息产业的迅速发展,要求电子元器件向小型化、高频化和集成化的方向发展,这便对作为电子元器件的核心即软磁材料提出了更......
采用直流磁控溅射方法,以Ar/N作为放电气体(Ar流量为定值,改变N流量),在玻璃衬底上沉积了Fe-N薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电......
Fe-N化合物材料是一类典型的磁性材料,在磁性存储以及磁电子器件领域有着广阔的应用前景。其中的ε-Fe2～3N材料具有室温铁磁性,尤其......
用磁控溅射法制备了Fe N薄膜和Fe N/TiN多层膜。结果表明 ,在常温下 ,使用较小的氮、氩比溅射 ,生成的Fe N薄膜主要是含氮α Fe固......
采用射频磁控溅射法制备了具有高饱和磁化强度的 Fe-N 薄膜。系统研究了氮气分压、基底温度，溅射功率等制备工艺条件对 Fe-N 薄膜结......
Fe-N 薄膜因其具有高饱和磁化强度、低矫顽力,有望获得较高的微波磁导率,而在集成化微磁器件、抗电磁干扰以及新型雷达波吸收材料......
本文使用等离子体基N离子注入方法和带有辅助射频的直流磁控溅射方法分别制备了Fe-N离子注入层和Fe-N薄膜。利用掠入射X射线分......
铁氮化合物是一种重要的铁基合金,具有优异的耐腐蚀性,机械硬度和磁学性质,这使得其在钢材的保护层、催化媒介、磁性液体、磁记录......
该实验用直流磁控溅射在硅酸钠玻璃衬底上制备Fe-N薄膜,在固定其它参数的同时,改变氮气流量,使氮气流量占总流量的比值分别改变为6......
本文报道了采用RF磁控溅射制备出了高性能的Fe-N薄膜,膜厚约200nm,磁场热处理后薄膜中含有α′和少量γ′,具有优质的软磁性能,饱......
采用直流磁控溅射方法,以Ar和N2作为放电气体,在单晶Si(100)衬底上沉积了Fe-N薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱分析仪(......
研究了氮流量对磁控溅射Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性和结构的影响。加氮薄膜的较磁性能明显优于纯铁的。当氮的流量为１．０ｍＬ·ｍｉｎ＾－１时，短顽力Ｈｃ达到最小值２０５Ａ／ｍ。当......
采用直流磁控溅射方法,以Ar/N2作为放电气体在玻璃基片上沉积了单相γ′-Fe4N薄膜, 采用X射线衍射(XRD)和超导量子干涉仪(SQUID)对......
采用直流磁控溅射方法，以Ar／N2为放电气体（N2／（Ar＋N2）=10％），在玻璃和NaCl（100）单晶片上分别沉积获得Fe-N薄膜样品．利用X射线衍射（XRD）、原子力显微......
用射频磁控溅射法分别在具有20 nm Fe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、......
为了揭示偏压对溅射态Fe-N薄膜磁学行为的影响规律及机理,采用直流磁控溅射工艺在不同偏压下制备了Fe-N薄膜.利用掠入射X射线衍射......
采用直流磁控溅射方法,保持氩气流量不变,控制氮气的体积分数为10%,12.5%,15%,分别用Si(100)单晶和SrTiO3(100)单晶基片制备Fe-N薄......
用磁控溅射法制备了Ｆｅ－Ｎ薄膜和Ｆｅ－Ｎ／ＴｉＮ多层膜。结果表明，在常温下，使用较小的氮、氩比溅射，生成的Ｆｅ－Ｎ薄膜主要是含氮α－Ｆｅ固溶体，并且Ｎ原子进入α－Ｆｅ晶格是饱......
研究了用RF溅射法制备的Fe-N薄膜经过250℃磁场热处理后高频磁导率的变化情况.实验结果发现,在优化生长条件下生长的Fe-N薄膜样品,......
本文报道了采用RF磁控溅射制备出了高性能的Fe-N薄膜，膜厚约200nm，磁场热处理后薄膜中含有α′和少量γ ′，具有优质的软磁性能，饱和磁......
采用薄膜技术制备的磁头具有较高的灵敏度,同时还可有效地缩小磁头尺寸,提高磁记录密度.良好的磁头材料要有较高的饱和磁化强度和......
用RF磁控溅射方法,在高功率下制备厚度为2μm的薄膜,当N含量在5.9～8.5%原子分数范围内,形成α′+α″相时,4πMs=2.2T,Hc=58.6A/m,......
目前,铁基金属氮化物是磁性材料研究中的热点课题之一。这是因为它本身包含着许多有意义的物理特性和潜在的使用价值。为了弄清楚......
