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GaAsSi异质结相关论文

GaAS/Si(100)异质外延4°偏角衬底对外延层结晶质量的提高(英文)

用低压金属有机物化学汽相沉积法(MOCVD)在Si(100)无偏角和Si(100)4°偏角衬底上外延生长GaAs层。异质外延采用两步生长法,并分别......

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外延层异质外延 GaAS/Si 结晶质量 GaAs/Si异质结 X射线衍射(XRD) MOCVD 透射电子显微镜沉积法金属有机物

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