GaAs赝配高电子迁移晶体管相关硕士博士期刊学术论文

研究了100mm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）外延材料量产的稳定性控制。通过选择控制参数和控制周期，提高了外延材料性能的重复......