对第三代太阳电池的InGaP/GaAs双叠层模型结构进行了理论性改进，提出了将GaInNAs/GaAs量子阱结构生长于子电池GaAs的空间电荷区的模......

ＧａＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料，在长彼长（１．３０和 １．５５μｍ）光通信系统 中具有广阔的应用前景．通过调节 Ｉｎ和 Ｎ的组分，既可获得应变 ＧａＩｎＮＡｓ外延材料，也可制 备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹......

用光的反射光谱和光的光致发光光谱的测量对Ga0.69In0.31NxAs1-x/GaAs的单量子阱的光学特性作了研究,在单量子阱的反射光谱中,观察......

引入N原子周围In原子数r自建模型,研究退火对GaInNAs/GaAs量子阱能带结构和应变效应的影响,计算退火前后量子阱的光增益谱,讨论了......

给出了长波长垂直腔面发射激光器的器件结构的发展现状,同时对GaInNAs/GaAs垂直腔面发射激光器进行了详细的介绍.最后,给出了所设......