GaN核辐射探测器相关论文
GaN作为第3代半导体材料,具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度大、抗辐射能力强等特点。制备了GaN半导体探测器,并应用该探测器对241......
Ga N的材料特性具有较宽的禁带宽度和较强的抗辐射强度,同时其共价键键能比较大,这些都使得它成为半导体核辐射探测领域的一个理想......
